產品簡介
DIODES 的 DMP1008UCB9 這款第三代橫向 MOSFET (LD-MOS) 旨在最大限度地減少通態損耗并實現超快開關，使其成為高效電力傳輸的理想選擇。它采用芯片級封裝 (CSP)，通過將低熱阻抗與每占位面積的最小 RDS(ON) 相結合來提高功率密度。
產品規格
品牌 DIODES
型號 DMP1008UCB9
名稱 P 溝道增強型 MOSFET
產地 臺灣
封裝 U-WLB1515-9
產品參數
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 8 V
|VGS| (±V) 6 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 13.2 A
PD @TA = +25°C (W) 1.53 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 5.7 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 9.1 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.4 V
|VGS(TH)| Max (V) 1.1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 8.2 nC
CISS Typ (pF) 900 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 4 V
主要特征
品質因數最低的 LD-MOS 技術：
RDS(ON) = 5.7mΩ，最大限度降低通態損耗
Qg = 8.2nC，用于超快速開關
VGS(TH) = -0.6V（典型值）低導通電位
CSP 封裝尺寸 1.5mm × 1.5mm
薄型高度 = 0.60mm
柵極ESD保護
相關型號
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