產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMNH6008SCT 這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低導(dǎo)通電阻 (R DS(ON) )，同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能，使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號(hào) DMNH6008SCT
名稱 60V +175°C N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地 臺(tái)灣
封裝 TO220AB
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 60 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 130 A
PD @TC = +25°C (W) 210 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 8 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 4 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 21 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 40 nC
CISS Typ (pF) 2596 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 30 V
主要特征
額定溫度為 +175°C – 高環(huán)境溫度環(huán)境的理想選擇
100% 非鉗位感應(yīng)開關(guān) – 確保更可靠、更穩(wěn)健的最終應(yīng)用
低輸入電容
低輸入/輸出泄漏
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