產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMNH10H021SPSW 這種MOSFET被設(shè)計(jì)為最小化導(dǎo)通電阻（RDS（ON））同時(shí)保持卓越的切換性能，使其非常適合高效電源管理應(yīng)用。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號(hào) DMNH10H021SPSW
名稱 100V 175°C N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地 臺(tái)灣
封裝 PowerDI?5060-8
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 58 A
PD @TA = +25°C (W) 4.4 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 28 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 4 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 71 nC
CISS Typ (pF) 3789 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 50 V
主要特征
額定溫度為 +175°C — 高環(huán)境溫度
環(huán)境的理想選擇
生產(chǎn)熱效率封裝冷卻器運(yùn)行應(yīng)用中的 100% 未鉗位感應(yīng)開關(guān) (UIS) 測(cè)試
高轉(zhuǎn)換效率
低 RDS(ON) – 最大限度地減少狀態(tài)損失
低輸入電容
開關(guān)速度快
用于改進(jìn)光學(xué)檢測(cè)的可潤(rùn)濕側(cè)面
相關(guān)型號(hào)
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