--- 產品參數 ---
- 品牌 DIODES
- 型號 DMN30H4D0LFDE
- 名稱 N 溝道增強型 MOSFET
- 產地 臺灣
- 封裝 U-DFN2020-6
--- 產品詳情 ---

產品簡介
DIODES 的 DMN30H4D0LFDE 這種新一代MOSFET的設計目的是將導通電阻(RDS(on)),同時保持卓越的切換性能,是高效電源管理的理想選擇應用程序。
產品規格
品牌 DIODES
型號 DMN30H4D0LFDE
名稱 N 溝道增強型 MOSFET
產地 臺灣
封裝 U-DFN2020-6
產品參數
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 300 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.55 A
PD @TA = +25°C (W) 1.98 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 4000 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 4000 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.8 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 7.6 nC
CISS Typ (pF) 187.3 pF
主要特征
0.6mm輪廓–非常適合低輪廓應用
PCB占地面積為4mm2
低柵極閾值電壓
低輸入電容
切換速度快
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