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DMN3029LFG N 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號: DMN3029LFG

--- 產品參數 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMN3029LFG
  • 名稱 N 溝道增強型 MOSFET
  • 產地 臺灣
  • 封裝 POWERDI3333-8

--- 產品詳情 ---

DMN3029LFG  

產品簡介
DIODES 的 DMN3029LFG 這種新一代MOSFET的設計目的是最大限度地降低狀態電阻(RDS(on)),同時保持卓越的開關性能,是高效電源管理的理想選擇應用程序。

 

產品規格 
品牌                DIODES
型號                DMN3029LFG
名稱                N 溝道增強型 MOSFET
產地                臺灣
封裝                POWERDI3333-8


產品參數
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 25 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 8 A
PD @TA = +25°C (W) 2.07 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 18.6 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 26.5 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 1.8 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 5.3 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 11.3 nC
CISS Typ (pF) 580 pF

 

主要特征
低RDS(ON)–確保最大限度地減少狀態損耗
體積小、熱效率高的封裝
密度最終產品
僅占SO-8板面積的33%
較小的最終產品
100%UIS(雪崩)評級
100%Rg測試

 

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