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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMN3008SFGQ 30V N 溝道增強型 MOSFET 晶體管 汽車款

型號: DMN3008SFGQ

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMN3008SFGQ
  • 名稱 30V N 溝道增強型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 PowerDI3333-8

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN3008SFGQ 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMN3008SFGQ 該 MOSFET 旨在滿足汽車應(yīng)用的嚴(yán)格要求。它符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)并得到 PPAP 支持。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                DIODES
型號                DMN3008SFGQ
名稱                30V N 溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地                臺灣
封裝                PowerDI3333-8

 

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 17.6 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 62 A
PD @TA = +25°C (W) 2.1 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 4.4 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 5.5 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 41 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 86 nC
CISS Typ (pF) 3690 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V

 

主要特征
低 R DS(ON) – 確保最小化通態(tài)損耗
小型、高效熱封裝可實現(xiàn)更高密度的最終產(chǎn)品
僅占 SO-8 所占電路板面積的 33%,可實現(xiàn)更小的最終產(chǎn)品
生產(chǎn)中進行 100% 未鉗位感應(yīng)開關(guān) (UIS) 測試

 

相關(guān)型號
DMN2992UFB4Q
DMN29M9UFDF
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DMN3007LSS
DMN3008SCP10
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DMN3008SFGQ
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DMN3013LFG
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DMN3016LSS
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DMN3018SSD
DMN3018SSS
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DMN3022LDG
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