CP200臺階儀主要用于臺階高、膜層厚度、表面粗糙度等微觀形貌參數的測量，是一款超精密接觸式微觀輪廓測量儀器。它采用了線性可變差動電容傳感器LVDC，具備超微力調節的能力和亞埃級的分辨率，同時，其集成了超低噪聲信號采集、超精細運動控制、標定算法等核心技術，使得儀器具備超高的測量精度和測量重復性。

CP200臺階儀應用場景適應性強，其對被測樣品的反射率特性、材料種類及硬度等均無特殊要求，能夠廣泛應用于半導體、太陽能光伏、光學加工、LED、MEMS器件、微納材料制備等各行業領域內的工業企業與高校院所等科研單位，其對表面微觀形貌參數的準確表征，對于相關材料的評定、性能的分析與加工工藝的改善具有重要意義。

技術參數

技術測量：探針式表面輪廓測量技術

樣品觀測：光學導航攝像頭：500萬像素高分辨率 彩色攝像機，FoV，1700*1400μm

平臺移動范圍X/Y：電動X/Y（100mm*100mm）（可手動校平）

最大樣品厚度：50mm

載物臺最大晶圓尺寸：150mm（6吋），200mm（8吋）

臺階高度重復性：＜1nm（測量1μm臺階高度，1δ）

垂直分辨力：分辨力＜0.25 ?（量程為13um時）

儀器尺寸: 640*626*534(mm)

儀器總重量：<50kg

參數測量功能

1）臺階高度：能夠測量納米到330μm甚至1000μm的臺階高度，可以準確測量蝕刻、濺射、SIMS、沉積、旋涂、CMP等工藝期間沉積或去除的材料；

2）粗糙度與波紋度：能夠測量樣品的粗糙度和波紋度，分析軟件通過計算掃描出的微觀輪廓曲線，可獲取粗糙度與波紋度相關的Ra、RMS、Rv、Rp、Rz等20余項參數；

3）翹曲與形狀：能夠測量樣品表面的2D形狀或翹曲，如在半導體晶圓制造過程中，因多層沉積層結構中層間不匹配所產生的翹曲或形狀變化，或者類似透鏡在內的結構高度和曲率半徑。

性能特點

1.亞埃級位移傳感器

CP200臺階儀具有亞埃級分辨率，結合單拱龍門式設計降低環境噪聲干擾，確保儀器具有良好的測量精度及重復性；

2.超微力恒力傳感器

1-50mg可調，以適應硬質或軟質樣品表面，采用超低慣量設計和微小電磁力控制，實現無接觸損傷的接觸式測量；

3.超平掃描平臺

系統配有超高直線度導軌，杜絕運動中的細微抖動，真實地還原掃描軌跡的輪廓起伏和樣件微觀形貌。

典型應用

1、半導體應用

(1)沉積薄膜的臺階高度

(2)抗蝕劑（軟膜材料）的臺階高度

(3)蝕刻速率測定

(4)化學機械拋光（腐蝕、凹陷、彎曲)

2、大型基板應用

(1)印刷電路板（突起、臺階高度）

(2)窗口涂層

(3)晶片掩模

(4)晶片卡盤涂料

(5)拋光板

3、玻璃基板及顯示器應用

(1)AMOLED

(2)液晶屏研發的臺階步級高度測量

(3)觸控面板薄膜厚度測量

(4)太陽能涂層薄膜測量

4、柔性電子器件薄膜應用

(1)有機光電探測器

(2)印于薄膜和玻璃上的有機薄膜

(3)觸摸屏銅跡線