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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMN2056U 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào): DMN2056U

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMN2056U
  • 名稱 20V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 SOT23

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN2056U 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMN2056U 這種MOSFET被設(shè)計(jì)為最小化導(dǎo)通電阻(RDS(打開)),同時(shí)保持卓越的切換性能,使其非常適合高效電源管理應(yīng)用。
電池充電
電源管理功能
DC-DC轉(zhuǎn)換器
便攜式電源適配器


產(chǎn)品規(guī)格 
品牌               DIODES
型號(hào)               DMN2056U
名稱               20V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地               臺(tái)灣
封裝               SOT23


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 4 A
PD @TA = +25°C (W) 0.94 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 38 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 45 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 85 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.4 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 4.3 nC
CISS Typ (pF) 339 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V

 

主要特征
低導(dǎo)通電阻
低柵極閾值電壓
低輸入電容
開關(guān)速度快
低輸入/輸出泄漏


相關(guān)型號(hào)
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DMN2050LQ
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