產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMN2019UTS 這種新一代MOSFET的設(shè)計(jì)目的是最大限度地降低現(xiàn)場(chǎng)電（RDS（on）），同時(shí)保持卓越的開(kāi)關(guān)性能，使其成為高效電源管理的理想選擇應(yīng)用程序。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號(hào) DMN2019UTS
名稱 N溝道MOSFET
產(chǎn)地 臺(tái)灣
封裝 TSSOP-8
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 5.4 A
PD @TA = +25°C (W) 0.78 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 18.5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 21 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 24 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 31 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.35 V
|VGS(TH)| Max (V) 0.95 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 8.8 nC
CISS Typ (pF) 143 pF
主要特征
低導(dǎo)通電阻
低輸入電容
切換速度快
高達(dá)2KV的ESD保護(hù)
相關(guān)型號(hào)
DMN2005UFG
DMN2005UFGQ
DMN2005UPS
DMN2008LFU
DMN2009LSS
DMN2009UCA4
DMN2009UFDF
DMN2009USS
DMN2011UFDE
DMN2011UFDF
DMN2011UFX
DMN2011UTS
DMN2012UCA6
DMN2013UFDE
DMN2013UFDEQ
DMN2013UFX
DMN2014LHAB
DMN2015UFDE
DMN2015UFDF
DMN2016LFG
DMN2016LHAB
DMN2016UFX
DMN2016UTS
DMN2019UTS
DMN2020LSN
DMN2020UFCL
DMN2022UFDF
DMN2022UNS
DMN2023UCB4
DMN2024U
