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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMN2005UPS 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào): DMN2005UPS

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMN2005UPS
  • 名稱 20V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 PowerDI5060-8

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN2005UPS 

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的DMN2005UPS 這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低導(dǎo)通電阻 (R DS(ON) ),同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能,使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌               DIODES
型號(hào)               DMN2005UPS
名稱               20V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地               臺(tái)灣
封裝               PowerDI5060-8

 

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 20 A
PD @TA = +25°C (W) 2.5 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 4.6 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 8.7 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 1.2 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 60 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 142 nC
CISS Typ (pF) 5337 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V


主要特征
低導(dǎo)通電阻
低輸入電容
開關(guān)速度快


相關(guān)型號(hào)
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