--- 產品參數 ---
- 品牌 DIODES
- 型號 DMN10H220LVT
- 名稱 100V N 溝道增強型 MOSFET
- 產地 臺灣
- 封裝 TSOT26
--- 產品詳情 ---

產品簡介
DIODES 的 DMN10H220LVT這種新一代MOSFET設計用于最大限度地減少導通狀態電阻(RDS(on)),并且仍然保持優異的切換性能,使其成為高效電源管理應用的理想選擇。
產品規格
品牌 DIODES
型號 DMN10H220LVT
名稱 100V N 溝道增強型 MOSFET
產地 臺灣
封裝 TSOT26
產品參數
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 16 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 2.24 A
PD @TA = +25°C (W) 1.67 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 220 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 250 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 4.1 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 8.3 nC
CISS Typ (pF) 401 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 25 V
主要特征
低輸入電容
低導通電阻
開關速度快
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