--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 品牌 DIODES
- 型號 DMN10H220LK3
- 名稱 N 溝道增強型 MOSFET
- 產(chǎn)地 臺灣
- 封裝 TO252
--- 產(chǎn)品詳情 ---

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMN10H220LK3這種MOSFET被設計為最小化導通電阻(RDS(ON)),同時保持卓越的切換性能,使其非常適合高效電源管理應用。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號 DMN10H220LK3
名稱 N 溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地 臺灣
封裝 TO252
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 7.5 A
PD @TC = +25°C (W) 18.7 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 220 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 250 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 3.7 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 6.7 nC
CISS Typ (pF) 384 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 25 V
主要特征
低導通電阻
低輸入電容
開關(guān)速度快
低輸入/輸出泄漏
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