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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務 國產(chǎn)替代選型

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DMN10H220LK3 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號: DMN10H220LK3

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMN10H220LK3
  • 名稱 N 溝道增強型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 TO252

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN10H220LK3 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMN10H220LK3這種MOSFET被設計為最小化導通電阻(RDS(ON)),同時保持卓越的切換性能,使其非常適合高效電源管理應用。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌              DIODES
型號              DMN10H220LK3
名稱              N 溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地               臺灣
封裝               TO252


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 7.5 A
PD @TC = +25°C (W) 18.7 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 220 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 250 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 3.7 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 6.7 nC
CISS Typ (pF) 384 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 25 V


主要特征
低導通電阻
低輸入電容
開關(guān)速度快
低輸入/輸出泄漏


相關(guān)型號
DMN1021UCA4
DMN1025UFDB
DMN1029UFDB
DMN1032UCP4
DMN1045UFR4
DMN1053UCP4
DMN1054UCB4
DMN10H099SFG
DMN10H099SK3
DMN10H100SK3
DMN10H120SE
DMN10H120SFG
DMN10H170SFDE
DMN10H170SFG
DMN10H170SFGQ
DMN10H170SK3
DMN10H170SK3Q
DMN10H170SVT
DMN10H170SVTQ
DMN10H220L
DMN10H220LDV
DMN10H220LE
DMN10H220LFDF
DMN10H220LFVW
DMN10H220LK3
DMN10H220LPDW
DMN10H220LQ
DMN10H220LVT
DMN10H6D2LFDB

 

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