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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

7.8k 內(nèi)容數(shù) 99w+ 瀏覽量 282 粉絲

TGF2978-SM 分立式 GaN 射頻晶體管

型號(hào): TGF2978-SM

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 最低頻率(MHz) 直流電
  • 最大頻率(MHz) 12,000
  • 增益(分貝) 11
  • 飽和度(dBm) 42.8
  • PAE (%) 46
  • 電壓(伏) 32
  • Idq (毫安) 100
  • 包裝類型 QFN
  • 包裝(毫米) 4×3

--- 產(chǎn)品詳情 ---

TGF2978-SM

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
Qorvo 的 TGF2978-SM 是一款 20 W (P3dB) 寬帶無(wú)可匹敵的基于 SiC HEMT 的分立式 GaN,可在直流至 12 GHz 和 32V 電源軌下運(yùn)行。該器件采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn) 3x3mm QFN 封裝,非常適合軍用和民用雷達(dá)、陸地移動(dòng)和軍用無(wú)線電通信、航空電子設(shè)備和測(cè)試儀器。該設(shè)備可以支持脈沖和線性操作。

 

產(chǎn)品規(guī)格
最低頻率(MHz) 直流電
最大頻率(MHz) 12,000
增益(分貝) 11
飽和度(dBm) 42.8
PAE (%) 46
電壓(伏) 32
Idq (毫安) 100
包裝類型 QFN
包裝(毫米) 4×3

 

主要特征
頻率范圍:DC - 12 GHz
輸出功率 (P3dB):9.4 GHz 時(shí)為 19 W
線性增益:9.4 GHz 時(shí)典型值為 11 dB
典型 PAE3dB:9.4 GHz 時(shí)為 46%
工作電壓:32V
低熱阻封裝
CW 和脈沖能力
3 x 4 毫米封裝

 

相關(guān)型號(hào)
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