產品簡介
Qorvo 的 TGF2023-2-01 是一款分立式 1.25 mm GaN on SiC HEMT，工作頻率范圍為 DC 至 18 GHz。
該器件通常提供 38 dBm 的飽和輸出功率，在 3 GHz 時具有 18 dB 的功率增益。最大功率附加效率為 66%，這使得 TGF2023-2-01 適合高效率應用。該部件無鉛且符合 RoHS 標準。
產品規格
最低頻率(MHz) 直流電
最大頻率(MHz) 18,000
增益（分貝） 18
飽和度(dBm) 38
PAE （%） 71.6
電壓（伏） 12 至 32
Idq （毫安） 25 至 125
主要特征
頻率范圍：直流至 18 GHz
3 GHz 時標稱 Psat 為 38 dBm
71.6% 最大 PAE
3 GHz 時標稱功率增益為 18 dB
偏壓：V D = 12 -32 V，I DQ = 125 mA
芯片尺寸：0.82 x 0.66 x 0.10 毫米
相關型號
QPD9300
T1G4020036-FL
T1G4020036-FS
T2G4005528-FS
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T2G6001528-Q3
T2G6001528-SG
T2G6003028-FL
T2G6003028-FS
TGF2023-2-01
TGF2023-2-02
TGF2023-2-05
TGF2023-2-10
TGF2023-2-20
TGF2819-FL
TGF2819-FS
TGF2929-FL
TGF2929-HM
