ADRF5515A是一款雙通道、集成RF、前端、多芯片模塊，設計用于時分雙工(TDD)應用。該設備的工作頻率為3.3 GHz至4.0 GHz。ADRF5515A采用雙通道配置，包含級聯兩級低噪聲放大器(LNA)和高功率硅單刀雙擲(SPDT)開關。
在高增益模式下，級聯兩級LNA和開關提供1.05 dB的低噪聲系數和36 dB的高增益（頻率為3.6 GHz）以及35 dBm（典型值）的輸出3階交調(OIP3)點。在低增益模式下，兩級LNA的一級處于旁路狀態，在48 mA的較低電流下提供17 dB的增益。在關斷模式下，LNA都會關閉且器件功耗為13 mA。
在發射操作中，當RF輸入連接到端電極引腳（TERM-CHA或TERM-CHB）時，該開關提供0.5 dB的低插入損耗，并在整個生命周期內處理43 dBm的長期演進(LTE)平均功率（9 dB峰值/平均值比(PAR)）。
該器件采用符合RoHS標準的緊湊型、6 mm × 6 mm、40引腳架構芯片級封裝(LFCSP)。
應用
- 無線基礎設施
- TDD大規模多路輸入和多路輸出和有源天線系統
- 基于TDD的通信系統
- 集成式雙通道 RF 前端
- 2 級 LNA 和高功率硅 SPDT 交換芯片
- 片內偏置和匹配
- 單電源供電
- TCASE = 105°C 時具有高功率處理能力
- LTE 平均功率 (9 dB PAR) 整個生命周期：43 dBm
- 增益
- 高增益模式：3.6 GHz 時為 36 dB（典型值）
- 低增益模式：3.6 GHz 時為 17 dB（典型值）
- 低噪聲指數
- 高增益模式：3.6 GHz 時為 1.05 dB（典型值）
- 低增益模式：3.6 GHz 時為 1.05 dB（典型值）
- 高隔離
- RXOUT-CHA 和 RXOUT-CHB：47 dB（典型值）
- TERM-CHA 和 TERM-CHB：75 dB（典型值）
- 低插入損耗：3.6 GHz 時為 0.5 dB（典型值）
- 高 OIP3：35 dBm（典型值）
- 關斷模式和低增益模式
- 低電源電流
- 高增益模式：5 V 時為 95 mA（典型值）
- 低增益模式：5 V 時為 48 mA（典型值）
- 關斷模式：5 V 時為 13 mA（典型值）
- 正邏輯控制
- 6 mm × 6 mm 40 引腳 LFCSP 封裝
- 與ADRF5515 和 ADRF5519，以及 10 W 版本，ADRF5545A 和 ADRF5549 的引腳兼容。
