--- 產品參數 ---
- 增益 27 dB(典型值,12 GHz至17 GHz時)
- OP1dB 18 dB(典型值,12 GHz至17 GHz時)
- OIP3 30.5 dBm(典型值,12 GHz至17 GHz時)
- 噪聲系數 1.8 dB(典型值,12 GHz至17 GHz時)
- 封裝 LFCSP
--- 產品詳情 ---

ADL8105是一款砷化鎵(GaAs)、單芯片微波集成電路(MMIC)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)低噪聲寬帶放大器,工作頻率范圍為5 GHz至20 GHz。
在12 GHz至17 GHz范圍內,ADL8105提供27 dB典型增益、1.8 dB典型噪聲系數和30.5 dBm典型輸出三階交調截點(OIP3)以及高達20.5 dBm的飽和輸出功率(PSAT),采用5 V電源電壓時功耗僅為90 mA。可通過犧牲OIP3和輸出功率(POUT)來降低功耗。ADL8105還具有內部匹配50 Ω的輸入和輸出。RFIN和RFOUT引腳均內部交流耦合,同時集成了偏置電感,使其非常適合基于表貼技術(SMT)的高容量微波無線電應用。
ADL8105采用符合RoHS標準的2 mm × 2 mm 8引腳LFCSP封裝。
應用
- 電信
- 衛星通信
- 軍用雷達
- 氣象雷達
- 電子戰
- 儀器儀表
- 單正電源(自偏置)
- 增益:27 dB(典型值,12 GHz至17 GHz時)
- OP1dB:18 dB(典型值,12 GHz至17 GHz時)
- OIP3:30.5 dBm(典型值,12 GHz至17 GHz時)
- 噪聲系數:1.8 dB(典型值,12 GHz至17 GHz時)
- 符合RoHS標準的2 mm x 2 mm、8引腳LFCSP封裝
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