采用 3mm x 3mm SON 封裝的雙路共源極、38mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET
| VDS (V) | 30 |
| Configuration | Dual Common Source |
| Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) | 38 |
| IDM - pulsed drain current (Max) (A) | 45 |
| QG typ (nC) | 6.3 |
| QGD typ (nC) | 0.7 |
| QGS typ (nC) | 1.9 |
| Package (mm) | SON3x3 |
| VGS (V) | 10 |
| VGSTH typ (V) | 1 |
| ID - silicon limited at Tc=25degC (A) | 27 |
| ID - package limited (A) | 27 |
| Logic level | Yes |
CSD87312Q3E 是一款設計用于適配器 / USB 輸入保護的 30V 共源、雙路 N 通道器件。 此類 SON 3.3mm x 3.3mm 器件有低漏極到漏極導通電阻，這大大減少了損耗并且為空間受限的多節電池充電類應用提供低組件數量。
R=63°C/W，這是在厚度為 0.060" 的環氧板印刷電路板 (FR4PCB) 上 1 in2（2 盎司）銅過渡墊片上測得的典型值脈沖持續時間 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2% 。
