采用 3mm x 3mm SON 封裝的單路、3.2mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET
| VDS (V) | 30 |
| Configuration | Single |
| Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) | 3.2 |
| Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) | 2.3 |
| IDM - pulsed drain current (Max) (A) | 240 |
| QG typ (nC) | 23 |
| QGD typ (nC) | 5.4 |
| QGS typ (nC) | 8.5 |
| Package (mm) | SON3x3 |
| VGS (V) | 20 |
| VGSTH typ (V) | 1.4 |
| ID - silicon limited at Tc=25degC (A) | 182 |
| ID - package limited (A) | 60 |
| Logic level | Yes |
這款 1.9mΩ，30V，SON 3×3 NexFET 功率 MOSFET 被設計成在功率轉換應用中最大限度地降低功率損耗。
頂視圖 要了解所有可用封裝，請見數據表末尾的可訂購產品附錄。 RθJA = 45°C/W，這是在一塊厚度為 0.060 英寸的 FR4 印刷電路板 (PCB) 上的 1 平方英寸 2 盎司銅過渡墊片上測得的典型值。最大 RθJC = 1.5°C/W，脈沖持續時間 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%
