采用 1mm x 1.5mm WLP 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、19.4mΩ、-8V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET
| VDS (V) | -8 |
| VGS (V) | -6 |
| Configuration | Single |
| Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) | 19.4 |
| Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms) | 26.5 |
| Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms) | 53 |
| Id peak (Max) (A) | -54 |
| Id max cont (A) | -3 |
| QG typ (nC) | 4.9 |
| QGD typ (nC) | 0.6 |
| QGS typ (nC) | 1.3 |
| VGSTH typ (V) | -0.8 |
| Package (mm) | WLP 1.0x1.5 |
| ID - silicon limited at Tc=25degC (A) | 3 |
| Logic level | Yes |
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低導通電阻 RDS(on)
- 小尺寸
- 低厚度，0.62mm 高
- 無鉛
- 符合 RoHS 環(huán)保標準
- 無鹵素
- CSP 1mm × 1.5mm 晶圓級封裝
這款 –8V、16.2mΩ、P 通道器件經(jīng)過設計，能夠以具有出色散熱特性的 1 × 1.5 mm 超薄小外形封裝提供最低的導通電阻和柵極電荷。
