--- 產(chǎn)品詳情 ---
CSD97395Q4M 高頻同步降壓 NexFET? 功率級
| VDS (V) | 30 |
| Power loss (W) | 2.3 |
| Ploss current (A) | 15 |
| Configuration | PowerStage |
| ID - continuous drain current at Ta=25degC (A) | 25 |
| Package (mm) | QFN 3.5 x 4.5 proprietary footprint |
| Operating temperature range (C) | -40 to 150 |
CSD97395Q4M NexFET 功率級的設計經(jīng)過高度優(yōu)化,適用于高功率、高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器。 這個產(chǎn)品集成了驅(qū)動器集成電路 (IC) 和 NexFET 技術(shù)來完善功率級開關(guān)功能。 此驅(qū)動器 IC 具有一個內(nèi)置可選二極管仿真功能,此功能可啟用斷續(xù)傳導模式 (DCM) 運行來提升輕負載效率。 此外,驅(qū)動器 IC 支持 ULQ 模式,此模式支持針對 Windows 8 的聯(lián)網(wǎng)待機功能。借助于三態(tài) PWM 輸入,靜態(tài)電流可減少至 130μA,并支持立即響應。 當 SKIP# 保持在三態(tài)時,電流可減少至 8μA(恢復切換通常需要 20μs)。 這個組合在小型 3.5 x 4.5mm 外形尺寸封裝中實現(xiàn)具有高電流、高效和高速開關(guān)功能的器件。 此外,印刷電路板 (PCB) 封裝已經(jīng)過優(yōu)化,可幫助減少設計時間并簡化總體系統(tǒng)設計的完成。
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