采用 2mm x 2mm SON 封裝、具有柵極 ESD 保護的雙路、42mΩ、30V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET
| VDS (V) | 30 |
| Configuration | Dual |
| Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) | 42 |
| Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) | 32.4 |
| IDM - pulsed drain current (Max) (A) | 23 |
| QG typ (nC) | 2.2 |
| QGD typ (nC) | 0.5 |
| QGS typ (nC) | 1 |
| Package (mm) | SON2x2 |
| VGS (V) | 20 |
| VGSTH typ (V) | 1.6 |
| ID - silicon limited at Tc=25degC (A) | 5 |
| ID - package limited (A) | 5 |
| Logic level | Yes |
CSD87502Q2 是一款 30V、27m? N 溝道器件。它具有兩個獨立的 MOSFET，采用 2mm x 2mm SON 塑料封裝。這兩個場效應管 (FET) 采用半橋配置，適用于同步降壓等電源 應用。此外，這些 NexFET功率 MOSFET 還可用于適配器、USB 輸入保護和電池充電 應用。兩個 FET 的漏源導通電阻均較低，可最大限度地降低損耗并減少元件數，非常適合空間受限型 應用。
