采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封裝、具有柵極 ESD 保護的單路、5.7mΩ、-8V、P 溝道 NexFET? 功率 MOSFET
| VDS (V) | -8 |
| VGS (V) | -6 |
| Configuration | Single |
| Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) | 5.7 |
| Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms) | 9.1 |
| Id peak (Max) (A) | -108 |
| Id max cont (A) | -5 |
| QG typ (nC) | 11.2 |
| QGD typ (nC) | 1.8 |
| QGS typ (nC) | 2.1 |
| VGSTH typ (V) | -0.7 |
| Package (mm) | WLP 1.5x1.5 |
| ID - silicon limited at Tc=25degC (A) | 5 |
| Logic level | Yes |
- 超低電阻
- 小尺寸封裝 1.5mm x 1.5mm
- 無鉛
- 柵極靜電放電 (ESD) 保護
- 符合 RoHS 環(huán)保標準
- 無鹵素
- 柵 - 源電壓鉗位
這款 –8V、4.7mΩ、1.5mm × 1.5mm 器件設計用于在超薄且具有出色散熱特性的超小外形尺寸封裝內(nèi)提供最低的導通電阻和柵極電荷。低導通電阻與小型封裝尺寸和低高度結(jié)合在一起，使得此器件非常適合于電池供電運行的空間受限 應用。
