采用 TO-220 封裝的單路、2.6mΩ、40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET
| VDS (V) | 40 |
| Configuration | Single |
| Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) | 4.2 |
| Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) | 2.6 |
| IDM - pulsed drain current (Max) (A) | 400 |
| QG typ (nC) | 64 |
| QGD typ (nC) | 9.7 |
| QGS typ (nC) | 17.9 |
| Package (mm) | TO-220 |
| VGS (V) | 20 |
| VGSTH typ (V) | 1.8 |
| ID - silicon limited at Tc=25degC (A) | 194 |
| ID - package limited (A) | 110 |
| Logic level | Yes |
- 低 Qg 和 Qgd
- 低 RDS(ON)
- 低熱阻
- 雪崩額定值
- 無鉛引腳鍍層
- 符合 RoHS 環(huán)保標準
- 無鹵素
- 晶體管 (TO)-220 塑料封裝
此 40V、2.1mΩ、TO-220 NexFET?功率 MOSFET 被設計成大大降低功率轉換 損耗的理想選擇。
