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ADRF5130是一款高功率、反射式、0.7 GHz至3.5 GHz、單刀雙擲(SPDT)硅開關，采用無引腳、表貼封裝。該開關非常適合高功率和蜂窩基礎設施應用，如長期演進(LTE)基站。ADRF5130具有43 dBm（典型值）高功率處理能力、0.6 dB低插入損耗、68 dBm（典型值）輸入線性度三階交調截點和46 dBm下的0.1 dB壓縮點(P0.1dB)。片內電路在5 V單正電源電壓下工作，典型偏置電流為1 mA，使其成為基于引腳二極管開關的理想替代器件。
該器件采用符合RoHS標準的緊湊型24引腳、4 mm × 4 mm LFCSP封裝。
應用
- 蜂窩/4G基礎設施
- 無線基礎設施
- 軍事和高可靠性應用
- 測試設備
- 引腳二極管替代器件
- 反射式50 ?設計
- 低插入損耗：0.6 dB（典型值，2 GHz）
- 高隔離度：50 dB（典型值，2 GHz）
- 高功率處理
- 連續平均功率：43 dBm
- 峰值功率：46.5 dBm
- 高線性度
- 0.1 dB壓縮(P0.1dB)：>46 dBm（典型值）
- 輸出三階交調截點(IP3)：68 dBm（典型值，2 GHz）
- ESD額定值
- 人體模型(HBM)：2 kV，2級
- 充電器件模型(CDM)：待定
- 單正電源
- VDD：5 V
- 正控制，TTL兼容
- VCTL： 0 V 或 5 V
- 24引腳、4 mm × 4 mm LFCSP封裝 (16 mm2)
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