Qorvo 的 QPD1000 是一種分立式 GaN on SiC HEMT，工作頻率范圍為 30 MHz 至 1.215 GHz。它提供 15 W 的輸出功率，增益為 19 dB，功率附加效率為 78.2%。該晶體管需要 28 V 的電源電壓并消耗高達 50 mA 的電流。它采用 5 x 6 mm 無鉛 SMT 封裝，非常適合手持無線電、雷達、干擾器和其他應用。

產品規格

產品詳情

零件號                 QPD1000

制造商                 科爾沃

描述                    0.03 至 1.215 GHz 的 15 W GaN 射頻晶體管

一般參數

晶體管類型          HEMT

技術                    碳化硅上氮化鎵、氮化鎵

應用行業             無線基礎設施、雷達、測試與測量

應用                   軍事、移動無線電、通信、測試儀器、干擾器

連續波/脈沖       脈沖

頻率                  30 MHz 至 1.215 GHz

力量                  41.76 分貝

功率(W)            15 瓦

飽和功率           43.8 分貝

脈沖寬度           557 我們

占空比              0.1

獲得                 19分貝

電源電壓          12 至 32 伏

電壓 - 柵源 (Vgs)  -2.8 伏

漏極偏置電流    50毫安

靜態漏極電流    50毫安

阻抗 Z              50 歐姆

包裝類型          表面貼裝

包裹                5 x 6 毫米

RoHS             是的

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