MBC50-1.0B14電容器利用熱生長二氧化硅基上的氮化硅介質。合成的復合電介質具有低泄漏電流和插入損耗，具有良好的長期穩定性。電容溫度系數通常為+55 ppm/oC。
產品規格
零件編號 MBC50-1.0B14
簡短描述 MNOS系列電容器
電容范圍MIN（pF） 0.80
最大電容范圍（pF） 1.20
類型 光束引線
最小偏差（V） 50
最小IR（nA） 1000
Tcc類型（ppm/攝氏度） 55
CT（pF） 1
特征
低泄漏電流
優異的長期穩定性
低插入損耗
應用
航空航天與國防
ISM
相關型號
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MBC50-15B12 MC2B004020-020
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