MA4M1100（金屬氮化物硅）芯片電容器專(zhuān)為微波電路應(yīng)用中的高可靠性和可重復(fù)性能而設(shè)計(jì)。這些電容器由低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD）制成，形成致密、均勻的氮化物層。與類(lèi)似的MOS、MIS和陶瓷電容器相比，這些器件具有更高的單位面積電容（導(dǎo)致更小的芯片尺寸）和更強(qiáng)的堅(jiān)固性。蒸發(fā)金觸點(diǎn)用于在電容器芯片上提供易于粘合的金屬墊。MACOM的MNS電容器在150攝氏度的額定隔離電壓下沒(méi)有表現(xiàn)出可測(cè)量的電容變化。MA4M系列芯片電容器是Ku波段混合微波電路的最佳選擇，在Ku波段，低損耗、高可靠性、小尺寸和溫度穩(wěn)定性是主要關(guān)注點(diǎn)。
產(chǎn)品規(guī)格
零件編號(hào) MA4m1100
簡(jiǎn)短描述 MNS微波片式電容器
電容（pf） 100
支座電壓（V） 100
芯片樣式 199
包裝類(lèi)別 模具/沖模
包裹 模具
特征
極佳的重復(fù)性（晶圓對(duì)晶圓和批次對(duì)批次）
可提供圓形或方形粘合墊
低損耗，高Q
小型
應(yīng)用
航空航天與國(guó)防
ISM
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