--- 產品參數 ---
- 制造商 TT
- 包裝/案例 SOIC-8
- 最高工作溫度 + 150 攝氏度
- 工作頻率 1GHz
- 輸出功率 5 瓦
- 擊穿電壓 40 伏
- 柵源閾值電壓 0.5V 至 7V
--- 產品詳情 ---
TT多用途硅DMOS射頻場效應管 5W - 12.5V- 1GHz

規格
制造商 TT
包裝/案例 SOIC-8
配置 雙重的
Id - 連續漏極電流 4個
最高工作溫度 + 150 攝氏度
安裝方式 貼片/貼片
工作頻率 1GHz
輸出功率 5 瓦
打包 塊
Pd - 功耗 17.5 瓦
產品類別 射頻 MOSFET 晶體管
技術 硅
晶體管極性 N通道
類型 射頻功率 MOSFET
Vds - 漏源擊穿電壓 40 伏
Vgs th - 柵源閾值電壓 0.5V 至 7V
應用
HF/VHF/UHF 通信
從 1MHz 到 1GHz
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