--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 擊穿電壓(V) 200
- 電阻(歐姆) 0.9
- 總電容(pF) 0.7
- 壽命(nS) 5000
- CW功率耗散(W) 30
--- 產(chǎn)品詳情 ---
該 MA4P7470F-1072T 是一種表面貼裝非磁性金屬電極中的PIN二極管無(wú)鉛面 (MELF) 封裝。設(shè)備包含 M/A-COM 技術(shù)解決方案時(shí)間經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的 HIPAX 技術(shù)可產(chǎn)生低電感陶瓷封裝沒(méi)有絲帶或晶須線。該包采用 M/A-COM技術(shù)解決方案 新型無(wú)磁電鍍提供密封封裝的過(guò)程具有極低的滲透性。納入該封裝是一個(gè)玻璃鈍化 PIN 芯片,是全面粘合在陰極和陽(yáng)極上最大限度地減少低電的表面積和熱阻。低熱阻在高事件下提供出色的性能功率水平高達(dá) 200 瓦 CW。這MA4P7470F-1072T已全面以電氣和機(jī)械為特征確保可重復(fù)和可預(yù)測(cè)的性能。
MA4P7470F-1072T 是一種非磁性器件它具有與其相似的電氣性能磁性對(duì)應(yīng)物 MA4P7417F-1072T。這二極管非常適合用于低損耗,低失真,大功率開(kāi)關(guān)電路。它是設(shè)計(jì)用于高磁場(chǎng)從 HF 到 UHF 頻率的環(huán)境。該設(shè)備旨在滿足最嚴(yán)格的MRI 的電氣和機(jī)械要求環(huán)境。

特征
高功率處理
符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
可作為芯片使用
各種套餐選項(xiàng)
無(wú)引線低電感 MELF 封裝 ?
低 Theta (?) 由于全面芯片鍵合
用于低漏電流的鈍化芯片
額定電壓高達(dá) 1000 伏
低損耗/低失真
可用于 MRI 的非磁性封裝
擊穿電壓(V) 200
電阻(歐姆) 0.9
總電容(pF) 0.7
壽命(nS) 5000
CW功率耗散(W) 30
熱阻(°C/W) 45
包裹 1.5X1.2mm TDFN-6LD
包裝類別 塑料表面貼裝
最小頻率(MHz) 50
最小頻率(MHz) 12000
應(yīng)用
ISM
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