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GTVA355001EC氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

型號: GTVA355001EC

--- 產品參數 ---

  • 脈沖寬度 300 μs
  • 占空比 10%
  • 輸出功率 P3dB = 500 W
  • 排水效率 65%
  • 增益 13 分貝

--- 產品詳情 ---

描述
GTVA355001EC 是一款 500 瓦 GaN on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT),用于 2900 至 3500 MHz 頻段。具有輸入輸出匹配功能;高效率; 和一個熱增強封裝。
 

GTVA355001EC

 

 

特征
寬帶內部輸入輸出匹配
典型的脈沖連續波性能(AB 級);3500兆赫;50伏;300 μs 脈沖寬度;10% 占空比;P3dB = 500 W 時的輸出功率;排水效率 = 65%;增益 = 13 分貝
無鉛且符合 RoHS 標準

應用
雷達放大器


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