### 產品簡介
NTD65N03RT4G-VB是一款高效能的N溝道MOSFET，采用TO252封裝，具有低導通電阻和高電流承載能力，適用于多種功率管理和開關應用。
### 詳細參數說明
- **封裝**：TO252
- **配置**：Single-N-Channel
- **最大漏源電壓（VDS）**：30V
- **柵源電壓（VGS）**：±20V
- **閾值電壓（Vth）**：1.7V
- **導通電阻（RDS(ON)）**：3mΩ @ VGS=4.5V，2mΩ @ VGS=10V
- **最大漏電流（ID）**：100A
- **技術**：Trench技術
### 應用領域和模塊
NTD65N03RT4G-VB廣泛應用于電源轉換器、DC-DC變換器和電動機驅動電路中，尤其適合于需要高效率和低熱量生成的場合。此外，它也可用于電池管理系統和高頻開關電源，滿足快速切換和高負載需求。
