### 產品簡介
NTD50N03RG-VB是一款高效能N溝道MOSFET，采用TO252封裝，專為高電流和中等電壓應用而設計。其低導通電阻和優良的散熱性能使其在電源轉換和開關應用中表現突出，能夠滿足嚴苛的性能要求。
### 詳細參數說明
- **封裝類型**：TO252
- **配置**：單N溝道
- **漏極源極電壓（VDS）**：30V
- **柵源電壓（VGS）**：±20V
- **閾值電壓（Vth）**：1.7V
- **導通電阻（RDS(ON)）**：
- 4.5V時：6mΩ
- 10V時：5mΩ
- **最大漏極電流（ID）**：80A
- **技術**：Trench
### 應用領域和模塊
NTD50N03RG-VB廣泛應用于電源管理系統，如DC-DC轉換器和電池管理模塊，以其低導通電阻和高效能為特點。此外，該MOSFET也適用于電機控制、負載開關及其他需要高電流驅動的應用，確保高效和可靠的性能。
