### 產品簡介
NTD2955D-VB是一款高性能P溝道MOSFET，采用TO252封裝，專為高效率和低導通電阻設計，適用于各種功率管理和控制應用。它能夠在負電壓條件下可靠工作，廣泛應用于反向保護和電源開關等場合。
### 詳細參數說明
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單一P通道
- **VDS（漏極-源極電壓）**: -60V
- **VGS（柵極-源極電壓）**: ±20V
- **Vth（閾值電壓）**: -1.7V
- **RDS(ON)**: 72mΩ（@VGS=4.5V），61mΩ（@VGS=10V）
- **ID（最大連續漏電流）**: -30A
- **技術**: Trench技術
### 應用領域和模塊
NTD2955D-VB廣泛應用于電源管理、開關電源、逆變器以及馬達控制等領域。在電源模塊中，它可以用于高效的電源開關，降低功率損耗；在開關電源中，提供可靠的反向保護，提升系統穩定性；而在馬達控制系統中，則能高效驅動電機負載，確保運行的高效性和穩定性。
