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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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NTD14N03R-1-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: NTD14N03R-1-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 7mΩ@VGS=10V
  • ID 70A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### NTD14N03R-1-VB 產(chǎn)品簡介

NTD14N03R-1-VB 是一款高效能單 N 通道 MOSFET,采用 TO252 封裝,專為低電壓和高電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件具有 30V 的漏極源電壓和最大 70A 的漏極電流能力,能夠滿足多種高功率需求。采用先進(jìn)的 Trench 技術(shù),該 MOSFET 在 4.5V 和 10V 的柵極電壓下分別具備 9mΩ 和 7mΩ 的低導(dǎo)通電阻,有效提高了系統(tǒng)的能效并減少了熱量生成。NTD14N03R-1-VB 特別適合用于電源管理、電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)和高效能電源應(yīng)用。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號**: NTD14N03R-1-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單 N 通道
- **最大漏極源電壓 (VDS)**: 30V
- **最大柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 9mΩ @ VGS=4.5V
 - 7mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 70A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例

NTD14N03R-1-VB 在多個(gè)領(lǐng)域中具有廣泛應(yīng)用,以下是一些具體示例:

1. **電源管理**: 該 MOSFET 常用于開關(guān)電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器,提供高效的電能轉(zhuǎn)換,廣泛適用于消費(fèi)電子、工業(yè)電源和計(jì)算機(jī)電源,能夠減少能量損失。

2. **電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)**: NTD14N03R-1-VB 可作為電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的開關(guān)元件,確保快速的電流控制和穩(wěn)定的操作,適合應(yīng)用于電動(dòng)工具、家用電器和自動(dòng)化設(shè)備中。

3. **LED 驅(qū)動(dòng)**: 此器件非常適合用于 LED 驅(qū)動(dòng)電路,能夠提供高效的功率控制,廣泛應(yīng)用于商業(yè)照明和汽車照明領(lǐng)域,提升系統(tǒng)能效。

4. **便攜式設(shè)備**: NTD14N03R-1-VB 也可應(yīng)用于便攜式電子設(shè)備的電源管理,在高功率條件下提供穩(wěn)定電流,從而提升電池的續(xù)航能力和使用效率。

通過以上參數(shù)和應(yīng)用實(shí)例,NTD14N03R-1-VB 展現(xiàn)出其在現(xiàn)代電力電子和高功率應(yīng)用中的重要性和廣泛適用性。

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