--- 產品參數 ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 60V
- VGS 20(±V)
- Vth 2.5V
- RDS(ON) 10mΩ@VGS=10V
- ID 58A
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 一、NP36N055SHE-E1-AY-VB 產品簡介
NP36N055SHE-E1-AY-VB 是一款 **單 N 通道 MOSFET**,采用 **TO-252 封裝**,專為高電流和高效能應用設計。其 **漏源電壓 (VDS)** 可達 **60V**,支持 ±20V 的柵源電壓 (VGS),并具有較低的開啟電壓 (Vth) 為 **2.5V**。在 **VGS = 10V** 時,其導通電阻 (RDS(ON)) 低至 **10mΩ**,提供了極佳的導電性能。NP36N055SHE-E1-AY-VB 的 **最大漏極電流 (ID)** 可達 **58A**,使其在各種應用中表現出色,特別是在電源管理和電動設備中。該 MOSFET 使用 **Trench 技術**,優化了開關速度和熱管理,為電子設計師提供了理想的解決方案。
---
### 二、NP36N055SHE-E1-AY-VB 詳細參數說明
| **參數** | **描述** | **值** |
|-------------------------|----------------------------------------|----------------------|
| **封裝** | TO-252 | 優化散熱設計 |
| **配置** | 單 N 通道 MOSFET | 高效開關元件 |
| **漏源電壓 (VDS)** | 最大可承受電壓 | 60V |
| **柵源電壓 (VGS)** | 柵極耐受電壓 | ±20V |
| **開啟電壓 (Vth)** | 開啟電壓 | 2.5V |
| **導通電阻 (RDS(ON))** | @ VGS = 10V | 10mΩ |
| **導通電阻 (RDS(ON))** | @ VGS = 4.5V | 13mΩ |
| **最大漏極電流 (ID)** | 最大連續電流 | 58A |
| **技術** | Trench 技術 | 高效低損耗設計 |
| **工作溫度范圍** | 工作溫度 | -55°C 至 175°C |
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### 三、應用領域與模塊舉例
1. **電源管理系統**
NP36N055SHE-E1-AY-VB 在 **DC-DC 轉換器** 和 **電源適配器** 中的應用非常廣泛。其低導通電阻和高電流處理能力使其成為高效電源轉換的重要組成部分,能夠有效降低能量損耗,提高整體效率。
2. **電動汽車**
在 **電動汽車 (EV)** 中,該 MOSFET 可用于電池管理系統和電機控制器。其高電流承載能力確保能夠處理快速變化的負載要求,從而提高車輛的加速性能和續航里程。
3. **工業自動化設備**
NP36N055SHE-E1-AY-VB 可用于 **電動驅動和控制系統**,如電機驅動和伺服控制器。其快速開關能力和高負載能力使其適合在精密工業應用中實現高效和穩定的性能。
4. **消費電子產品**
該 MOSFET 也被廣泛應用于 **便攜式設備** 和 **智能手機充電器** 中,能夠有效管理電源并提供穩定的充電效率,提升用戶體驗。
5. **不間斷電源 (UPS)**
在 **UPS 系統** 中,NP36N055SHE-E1-AY-VB 可用于作為開關元件,以支持在市電中斷時的瞬時切換,保證系統的穩定供電。
---
NP36N055SHE-E1-AY-VB 以其高效能、低損耗的特點,在電源管理、汽車、工業及消費電子等領域均表現出色,是電子工程師在高電流應用中非常理想的選擇。
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