--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
- ID 80A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、NP34N03ILD-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
NP34N03ILD-VB 是一款 **單 N 溝道 MOSFET**,采用 **TO252 封裝**,設(shè)計(jì)用于高電流和低電壓應(yīng)用。它的最大漏源電壓 (VDS) 為 **30V**,柵源電壓 (VGS) 范圍為 **±20V**,使其在多種功率管理和電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中表現(xiàn)出色。該器件的開(kāi)啟電壓 (Vth) 為 **1.7V**,在 VGS 為 10V 時(shí),其導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 低至 **5mΩ**,在 VGS 為 4.5V 時(shí)為 **6mΩ**,確保在高電流工作時(shí)的高效能。憑借 **80A** 的最大漏極電流 (ID) 和基于 **Trench 技術(shù)**的設(shè)計(jì),NP34N03ILD-VB 在電源效率和熱管理方面具備卓越性能,廣泛適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、開(kāi)關(guān)電源和電池管理系統(tǒng)。
---
### 二、NP34N03ILD-VB 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
| **參數(shù)** | **數(shù)值** | **說(shuō)明** |
|------------------------|-----------------------|-------------------------------------------|
| **封裝類型** | TO252 | 緊湊的封裝,適合表面貼裝應(yīng)用,便于散熱。 |
| **MOSFET 配置** | 單 N 溝道 | 適合一般用途的開(kāi)關(guān)和放大器應(yīng)用。 |
| **漏源電壓 (VDS)** | 30V | 適合低壓應(yīng)用,滿足多種電源需求。 |
| **柵源電壓 (VGS)** | ±20V | 提供寬電壓范圍,適應(yīng)多種驅(qū)動(dòng)電路。 |
| **開(kāi)啟電壓 (Vth)** | 1.7V | 確保 MOSFET 在常見(jiàn)驅(qū)動(dòng)電壓下穩(wěn)定工作。 |
| **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))** | 5mΩ @ VGS=10V | 極低的導(dǎo)通電阻,提高效率,減少發(fā)熱。 |
| **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))** | 6mΩ @ VGS=4.5V | 在較低的柵源電壓下也能保持優(yōu)異性能。 |
| **漏極電流 (ID)** | 80A | 高電流承載能力,適合高功率應(yīng)用。 |
| **技術(shù)類型** | Trench | 提高開(kāi)關(guān)速度和效率,優(yōu)化熱管理性能。 |
---
### 三、應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例
1. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng) (Motor Drive Systems)**:
NP34N03ILD-VB 可廣泛用于 **直流電機(jī)控制器** 和 **步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器** 中。其高電流承載能力和低導(dǎo)通電阻使電機(jī)在啟動(dòng)和運(yùn)行時(shí)的能耗降低,從而提升電機(jī)系統(tǒng)的整體效率和可靠性。
2. **開(kāi)關(guān)電源 (Switching Power Supplies)**:
在 **開(kāi)關(guān)電源** 設(shè)計(jì)中,NP34N03ILD-VB 可作為主開(kāi)關(guān)元件使用。其快速的開(kāi)關(guān)特性和低導(dǎo)通電阻有助于減少開(kāi)關(guān)損耗,改善能效,適用于消費(fèi)電子、計(jì)算機(jī)和工業(yè)設(shè)備的電源轉(zhuǎn)換。
3. **電池管理系統(tǒng) (Battery Management Systems, BMS)**:
在 **電動(dòng)汽車** 和 **儲(chǔ)能系統(tǒng)** 中,NP34N03ILD-VB 用于電池充放電的控制,確保高效的電力傳輸和熱管理,提高電池的使用壽命和性能。其高漏極電流支持大電流充放電過(guò)程,滿足現(xiàn)代電池系統(tǒng)的需求。
4. **LED 驅(qū)動(dòng) (LED Drivers)**:
該 MOSFET 可以用于 **LED 驅(qū)動(dòng)電路**,提供穩(wěn)定的電流輸出,確保 LED 照明設(shè)備的高效能和長(zhǎng)壽命。其低導(dǎo)通電阻和高電流能力使其適合大功率 LED 應(yīng)用。
5. **電源分配與控制 (Power Distribution and Control)**:
在 **電源管理系統(tǒng)** 中,NP34N03ILD-VB 可用作功率開(kāi)關(guān),適用于需要快速切換和高功率控制的場(chǎng)景,如 **數(shù)據(jù)中心的電源管理** 和 **工業(yè)自動(dòng)化控制系統(tǒng)**。
---
NP34N03ILD-VB 是一款高效的單 N 溝道 MOSFET,憑借其超低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力,在電機(jī)驅(qū)動(dòng)、開(kāi)關(guān)電源、電池管理、LED 驅(qū)動(dòng)以及電源分配系統(tǒng)等多個(gè)領(lǐng)域都展現(xiàn)出卓越的性能,成為現(xiàn)代電力電子設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵組件。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛