--- 產品參數 ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 60V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 73mΩ@VGS=10V
- ID 18A
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
## 一、NID9N05CLT4G-VB 產品簡介
NID9N05CLT4G-VB 是一款 **單N溝道MOSFET**,采用 **TO252封裝**,專為高效電源管理與開關應用設計。其最大漏-源電壓(V\(_{DS}\))為 **60V**,支持 ±20V 的柵-源電壓(V\(_{GS}\)),適合各種電源環境。該器件的門檻電壓(V\(_{th}\))為 **1.7V**,確保在較低的電壓驅動下也能有效導通。
NID9N05CLT4G-VB 的導通電阻(R\(_{DS(ON)}\))在不同柵電壓下表現良好,分別為 **85mΩ @ V\(_{GS}\) = 4.5V** 和 **73mΩ @ V\(_{GS}\) = 10V**,支持最大連續漏極電流 **18A**。通過 **Trench技術**,該MOSFET 提供優異的開關特性與低導通損耗,廣泛應用于各類電子產品的電源管理和負載控制。
---
## 二、NID9N05CLT4G-VB 詳細參數說明
| **參數** | **數值** | **描述** |
|---------------------|----------------------------------|-----------------------------------------------|
| **封裝類型** | TO252 | 緊湊型封裝,適合于各種應用場景 |
| **配置** | Single-N-Channel | 單N溝道器件,簡化電路設計 |
| **V\(_{DS}\)** | 60V | 最大漏-源電壓,適用于多種電源設計 |
| **V\(_{GS}\)** | ±20V | 最大柵-源電壓,提供靈活的控制 |
| **V\(_{th}\)** | 1.7V | 門檻電壓,確保低電壓下有效導通 |
| **R\(_{DS(ON)}\)** | 85mΩ(@V\(_{GS}\)=4.5V) | 導通電阻,保證低損耗 |
| | 73mΩ(@V\(_{GS}\)=10V) | |
| **I\(_D\)** | 18A | 最大連續漏極電流,滿足較高負載能力 |
| **工作技術** | Trench | 溝槽技術,提升開關性能與能量效率 |
| **工作溫度范圍** | -55°C ~ +150°C | 在各種環境條件下穩定運行 |
| **應用特性** | 高效電源切換與負載管理 | 減少熱損耗,提高電路效率 |
---
## 三、NID9N05CLT4G-VB 的應用領域與典型模塊
1. **電源管理電路**
- NID9N05CLT4G-VB 可廣泛應用于 **DC-DC轉換器** 中,確保高效電源轉換與穩定輸出。在此類應用中,它能夠有效降低電源損耗,提高整體效率。
2. **家用電器**
- 該MOSFET 適用于 **家用電器** 的開關控制,例如冰箱、空調和洗衣機等設備。在負載變化時,NID9N05CLT4G-VB 的快速開關能力可以確保設備穩定運行。
3. **電動工具**
- 在 **電動工具** 的電源管理與控制中,該器件能夠提供穩定的電流輸出,以滿足電動馬達的高啟動電流需求,確保工具的高效和可靠運行。
4. **LED驅動電路**
- NID9N05CLT4G-VB 也廣泛應用于 **LED照明系統**,作為開關元件控制LED的亮度和功率,提升電源的效率,延長LED的使用壽命。
5. **工業控制系統**
- 在 **工業自動化和控制** 系統中,該MOSFET 可用于驅動負載,提供快速可靠的開關操作,確保系統在復雜環境下的穩定運行。
NID9N05CLT4G-VB
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:51
產品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:48
產品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:47
產品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:44
產品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:42
產品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:40
產品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:36
產品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:31
產品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:28
產品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:25
產品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應鏈實現高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12