--- 產品參數 ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 800V
- VGS 30(±V)
- Vth 3.5V
- RDS(ON) 2600mΩ@VGS=10V
- ID 2A
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 一、NDD03N80ZT4G-VB 產品簡介
NDD03N80ZT4G-VB 是一款高電壓單N溝道MOSFET,采用TO252封裝,專為高壓應用而設計。其漏源極電壓(VDS)高達800V,使其能夠處理高電壓環境,同時支持柵極驅動電壓(VGS)±30V。閾值電壓(Vth)為3.5V,在10V的柵極驅動下,其導通電阻(RDS(ON))為2600mΩ,這使得在負載條件下的功耗相對較高,但在高電壓應用中,仍可提供穩定的性能。NDD03N80ZT4G-VB 的最大漏極電流(ID)為2A,適合在高壓和中小電流應用場合使用,廣泛應用于電源管理和工業控制等領域。
---
### 二、NDD03N80ZT4G-VB 詳細參數說明
| **參數** | **值** | **說明** |
|-------------------------|----------------------------------|--------------------------------------------|
| **封裝類型** | TO252 | 提供適當的散熱性能,適合高電壓應用。 |
| **配置** | 單N溝道 | 適用于開關和放大應用,具有多種功能。 |
| **漏源極電壓 (VDS)** | 800V | 能夠承受高電壓,適合多種高電壓應用。 |
| **柵極驅動電壓 (VGS)** | ±30V | 允許在較大的柵極電壓范圍內工作。 |
| **閾值電壓 (Vth)** | 3.5V | 提供快速的導通和關斷特性。 |
| **導通電阻 (RDS(ON))** | 2600mΩ @ VGS=10V | 在高電壓下的導通電阻較大,適合低功率應用。 |
| **最大漏極電流 (ID)** | 2A | 支持小功率負載,適合電源管理和控制電路。 |
| **技術** | SJ_Multi-EPI | 采用多晶體結構技術,提高了電流承載能力。 |
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### 三、應用領域和模塊示例
1. **高壓電源管理**
NDD03N80ZT4G-VB 適用于高壓電源管理系統,如開關電源(SMPS)和DC-DC轉換器。在這些應用中,它能穩定控制輸出電壓和電流,確保系統的高效運行,并在高電壓環境下保持可靠性。
2. **電動工具**
在電動工具中,該MOSFET 可作為電源控制開關,實現對電機的驅動控制。由于其高達800V的漏源電壓,能夠滿足高功率電動工具的電源需求,確保高效和安全的工作。
3. **工業自動化**
NDD03N80ZT4G-VB 也適用于工業自動化設備中,作為驅動控制元件。在PLC(可編程邏輯控制器)和工業控制系統中,能夠實現對各種傳感器和執行器的高效控制。
4. **照明控制**
在高壓照明系統中,如街道照明和工業照明,NDD03N80ZT4G-VB 可用作開關元件,控制燈具的開關與調光。這使得在高壓應用中實現高效和可靠的照明解決方案成為可能。
5. **逆變器**
NDD03N80ZT4G-VB 還可用于逆變器應用,特別是在高電壓的太陽能逆變器中。它能夠在高電壓條件下高效轉換直流電源為交流電源,支持可再生能源的應用。
綜上所述,NDD03N80ZT4G-VB 憑借其高電壓承載能力和適中的導通電阻,成為高壓電源和控制系統的理想選擇,廣泛應用于多個工業和商業領域。
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