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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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NCE65R540K-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: NCE65R540K-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 500mΩ@VGS=10V
  • ID 9A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 一、NCE65R540K-VB 產品簡介  

NCE65R540K-VB 是一款高壓單 N 通道 MOSFET,采用 **TO252** 封裝,專為高電壓電力電子應用設計。該器件能夠承受高達 **650V** 的漏極-源極電壓 (V_DS),并支持 ±30V 的柵極-源極電壓 (V_GS)。其閾值電壓 (V_th) 為 3.5V,在適當的柵極電壓下可快速導通。NCE65R540K-VB 在 V_GS=10V 時具有導通電阻 (R_DS(ON)) 為 500mΩ,雖然相對較高,但在特定應用中仍能有效地滿足性能需求。最大漏極電流 (I_D) 為 **9A**,并采用 **SJ_Multi-EPI** 技術,提供出色的開關性能和熱穩定性,適合高耐壓和高效能的應用場景。

---

### 二、詳細參數說明  

| **參數**           | **值**                      |
|--------------------|-----------------------------|
| **型號**           | NCE65R540K-VB               |
| **封裝**           | TO252                       |
| **配置**           | 單 N 通道                   |
| **漏極-源極電壓 (V_DS)** | 650V                     |
| **柵極-源極電壓 (V_GS)** | ±30V                    |
| **閾值電壓 (V_th)** | 3.5V                        |
| **導通電阻 (R_DS(ON))** | 500mΩ(V_GS=10V)        |
| **漏極電流 (I_D)** | 9A                           |
| **技術**           | SJ_Multi-EPI                |
| **工作溫度范圍**   | -55°C 至 150°C              |

---

### 三、應用領域與模塊示例  

1. **電力變換器**  
  NCE65R540K-VB 非常適合用于電力變換器,尤其是在高壓輸入的場合,能夠有效地處理高達 650V 的輸入電壓,同時保持合理的導通電阻,提高轉換效率。

2. **開關電源**  
  該 MOSFET 可廣泛應用于高頻開關電源中,能夠快速切換狀態,從而降低開關損耗,確保高效的電能轉換和管理。

3. **光伏逆變器**  
  在光伏逆變器中,NCE65R540K-VB 可用作主開關,保證高效的直流轉交流轉換,提升太陽能系統的整體能效。

4. **電動汽車充電系統**  
  在電動汽車充電站中,該器件能夠作為高壓直流-直流轉換器的開關元件,提供穩定的高壓電源,支持快速充電需求。

5. **工業電源管理**  
  NCE65R540K-VB 適合用于各種工業電源管理應用,例如電機控制和高壓電源供應系統,提供可靠的開關性能,確保設備的安全與高效運行。

NCE65R540K-VB 的高耐壓和可靠性使其在眾多高電壓應用中表現出色,是設計高效電力電子產品的理想選擇。

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