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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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NCE60R900K-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: NCE60R900K-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 650V
  • VGS 30(±V)
  • Vth 3.5V
  • RDS(ON) 700mΩ@VGS=10V
  • ID 7A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 一、NCE60R900K-VB 產品簡介

NCE60R900K-VB 是一款采用 **TO252 封裝**的 **單N溝道 MOSFET**,適用于高壓、高效的功率管理應用。該器件的 **漏源電壓 (VDS)** 高達 **650V**,確保其能夠在嚴苛的高壓環境中穩定工作。**柵源電壓 (VGS)** 范圍為 ±30V,為驅動設計提供了較高的靈活性。其 **開啟閾值電壓 (Vth)** 為 **3.5V**,可在合適的柵極電壓下快速導通。在 **VGS=10V** 時,器件的 **導通電阻 (RDS(ON))** 為 **700mΩ**,支持最大連續電流 **7A**。NCE60R900K-VB 采用先進的 **超結(SJ)和多重外延(Multi-EPI)技術**,實現了更低的導通損耗和更高的熱穩定性,非常適合電力轉換和開關應用。

---

### 二、詳細參數說明  

| **參數**              | **數值**              | **說明**                     |
|----------------------|----------------------|-----------------------------|
| **封裝類型**         | TO252               | 適用于緊湊型電路板,提供良好散熱。 |
| **溝道類型**         | 單N溝道             | 用于高效開關和功率控制。   |
| **漏源電壓 (VDS)**  | 650V                 | 支持高電壓系統的運行。     |
| **柵源電壓 (VGS)**  | ±30V                 | 支持更廣泛的驅動設計。     |
| **開啟閾值電壓 (Vth)** | 3.5V               | 在 3.5V 柵極電壓時開始導通。 |
| **導通電阻 (RDS(ON))** | 700mΩ@VGS=10V       | 控制開關損耗,提升效率。 |
| **最大連續漏極電流 (ID)** | 7A                | 支持適度電流負載。        |
| **技術**              | SJ_Multi-EPI        | 實現高效能和熱穩定性的工藝技術。 |

---

### 三、應用領域與模塊示例

1. **電源管理**  
  - 在 **LED 驅動器**中,NCE60R900K-VB 用于電源調節開關,確保 LED 系統的穩定亮度和高效運行。  
  - 在 **工業電源**中,用于隔離電源的高壓轉換,確保系統的能量管理和電路保護。

2. **電機控制**  
  - 在 **小型電機控制系統**中,如家用風扇和空調的壓縮機控制,NCE60R900K-VB 可實現電機啟動與調速的高效控制。  
  - 在 **電動閥門和執行器**中,作為高壓開關,確保系統精準的動作和控制。

3. **汽車電子**  
  - 在 **車載照明系統**中,用于 LED 頭燈和內部照明的驅動,確保長時間使用下的高效能和低熱量。  
  - 在 **車載電源模塊**中,NCE60R900K-VB 可以用于高壓電源開關,確保電氣系統的穩定供電。

4. **可再生能源系統**  
  - 在 **太陽能控制器**中,作為功率轉換器件,提升光伏系統的效率和穩定性。  
  - 在 **儲能系統**中,用作高壓電池管理系統中的開關,保證電池充放電的安全和高效。

NCE60R900K-VB 憑借其高壓承受能力、較低的導通損耗和良好的散熱性能,成為高壓轉換、照明驅動和小型電機控制等應用的理想選擇。

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