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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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NCE60P50K-VB一款TO252封裝P-Channel場效應晶體管

型號: NCE60P50K-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-P-Channel
  • VDS -60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth -1.7V
  • RDS(ON) 20mΩ@VGS=10V
  • ID -50A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

以下是**NCE60P50K-VB**單P通道MOSFET的產品簡介、參數說明以及應用示例:  

---

### **一、產品簡介**  
NCE60P50K-VB是一款高效能的單P通道MOSFET,采用TO252封裝,適合高電壓和大電流應用。該MOSFET的漏源電壓(VDS)為-60V,能夠處理較高的負電壓,使其在需要P通道開關的場合表現出色。其最大門極至源極電壓為±20V,提供靈活的驅動能力。該器件的閾值電壓(Vth)為-1.7V,確保能夠在低門極電壓下開啟。導通電阻(RDS(ON))在VGS為4.5V和10V時分別為25mΩ和20mΩ,提供低功耗和高效率的特性。最大漏電流(ID)為-50A,適合多種高電流應用。憑借Trench技術,該MOSFET具有良好的開關性能和低導通損耗,非常適合電源管理和電動機驅動等應用。

---

### **二、詳細參數說明**  
- **型號**: NCE60P50K-VB  
- **封裝**: TO252  
- **配置**: 單P通道  
- **漏極至源極電壓 (VDS)**: -60V  
- **門極至源極電壓 (VGS)**: ±20V  
- **閾值電壓 (Vth)**: -1.7V  
- **導通電阻 (RDS(ON))**:  
 - 25mΩ @ VGS = 4.5V  
 - 20mΩ @ VGS = 10V  
- **最大漏極電流 (ID)**: -50A  
- **技術**: Trench  

---

### **三、應用領域和模塊示例**  
**1. 電源管理系統**  
NCE60P50K-VB在開關電源和DC-DC轉換器中廣泛應用,適合用于高效能電源解決方案,能夠提供低損耗和高可靠性的電源轉換。

**2. 電動機驅動**  
該MOSFET非常適合用于電動機驅動電路,如步進電機和直流電動機,提供高電流控制和快速開關能力,確保電動機的平穩運行。

**3. 電池管理系統**  
在電池管理系統中,NCE60P50K-VB可用于充電和放電開關,支持高電流切換并確保系統的高效能和安全性。

**4. 消費電子產品**  
該器件可用于消費電子產品中的電源切換和控制電路,幫助提升設備的能效和續航能力,特別適合手機、平板和筆記本電腦。

**5. LED驅動電路**  
由于其低導通損耗,該MOSFET也適用于LED驅動應用,保證照明設備在高效能下運行,延長產品的使用壽命。

NCE60P50K-VB憑借其優異的性能和廣泛的應用范圍,是現代電子設計中一個非常重要的組成部分。

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