--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 60V
- VGS 20(±V)
- Vth 2.5V
- RDS(ON) 10mΩ@VGS=10V
- ID 58A
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 一、NCE5558K-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
NCE5558K-VB 是一款高效的 **N-溝道 MOSFET**,采用 **TO252 封裝**,專為各種功率轉(zhuǎn)換和開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件具有 **最大漏源電壓 (VDS)** 為 **60V**,支持 **±20V 的柵源電壓 (VGS)**,其開啟閾值電壓為 **2.5V**,確保在較低電壓下實(shí)現(xiàn)可靠的導(dǎo)通。NCE5558K-VB 的導(dǎo)通電阻在 **VGS = 10V** 時(shí)為 **10mΩ**,在 **VGS = 4.5V** 時(shí)為 **13mΩ**,具有極低的導(dǎo)通損耗,適合高效能的電源管理方案。最大漏極電流為 **58A**,使其能夠處理較大的負(fù)載,廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、汽車電子和消費(fèi)電子等領(lǐng)域。
---
### 二、NCE5558K-VB 詳細(xì)參數(shù)說明
| **參數(shù)** | **數(shù)值** | **說明** |
|------------------------|----------------------------|----------------------------------|
| **封裝類型** | TO252 | 適合表面貼裝的緊湊型封裝 |
| **配置** | 單 N-溝道 MOSFET | 提供單通道的高效電源控制 |
| **漏源電壓 (VDS)** | 60V | 最大漏極與源極之間的電壓差 |
| **柵源電壓 (VGS)** | ±20V | 最大柵極與源極之間的電壓 |
| **開啟閾值電壓 (Vth)** | 2.5V | MOSFET 開始導(dǎo)通所需的最小電壓 |
| **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))** | 10mΩ(@VGS = 10V) | 在高電壓下的低導(dǎo)通電阻 |
| | 13mΩ(@VGS = 4.5V) | 在較低電壓下的導(dǎo)通電阻 |
| **最大漏極電流 (ID)** | 58A | 最大持續(xù)電流 |
| **技術(shù)** | Trench | 優(yōu)化設(shè)計(jì)以降低開關(guān)損耗 |
---
### 三、適用領(lǐng)域和模塊
1. **電源管理 (Power Management):**
NCE5558K-VB 常用于 **DC-DC 轉(zhuǎn)換器** 和 **電源開關(guān)**,由于其低導(dǎo)通電阻,能夠有效降低功耗,提高系統(tǒng)的能效和穩(wěn)定性。
2. **汽車電子 (Automotive Electronics):**
該器件在 **汽車動(dòng)力系統(tǒng)** 和 **控制模塊** 中應(yīng)用廣泛,能夠處理高電流負(fù)載,為汽車電子設(shè)備提供高效的電源管理解決方案。
3. **消費(fèi)電子 (Consumer Electronics):**
NCE5558K-VB 在 **智能手機(jī)**、**平板電腦** 等便攜設(shè)備中扮演重要角色,提供高效的電源轉(zhuǎn)換,延長(zhǎng)設(shè)備的電池續(xù)航時(shí)間。
4. **工業(yè)控制 (Industrial Control):**
適用于 **工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)** 和 **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**,NCE5558K-VB 提供高可靠性和穩(wěn)定性,確保工業(yè)設(shè)備的高效運(yùn)行。
5. **LED 照明 (LED Lighting):**
在 **LED 驅(qū)動(dòng)電路** 中,該器件可以作為開關(guān)元件,提供高效的電源轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的輸出電流,確保照明系統(tǒng)的良好性能。
---
NCE5558K-VB 是一款性能優(yōu)越的 N-溝道 MOSFET,適用于多種現(xiàn)代電源管理和開關(guān)應(yīng)用,滿足對(duì)高效能和低功耗的需求。
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