--- 產品參數 ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 60V
- VGS 20(±V)
- Vth 3V
- RDS(ON) 4.5mΩ@VGS=10V
- ID 97A
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### NCE5080K-VB 產品簡介
NCE5080K-VB 是一款高性能單N通道功率MOSFET,采用TO252封裝,專為高電壓和高電流應用設計。該器件的最大漏源電壓(VDS)為60V,支持±20V的柵源電壓(VGS),確保廣泛的應用靈活性。其閾值電壓(Vth)為3V,有助于在較低電壓下快速開啟。NCE5080K-VB 在VGS為4.5V時的導通電阻(RDS(ON))為12mΩ,而在VGS為10V時進一步降低至4.5mΩ,具備承載高達97A的連續漏電流(ID)。憑借其先進的Trench技術,該MOSFET 提供出色的開關性能和熱管理能力,適合用于各類電源管理和驅動電路。
### 詳細參數說明
- **型號**: NCE5080K-VB
- **封裝**: TO252
- **配置**: 單N通道
- **漏源電壓 (VDS)**: 60V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 12mΩ @ VGS = 4.5V
- 4.5mΩ @ VGS = 10V
- **連續漏電流 (ID)**: 97A
- **最大功耗 (Ptot)**: 適合高功率應用
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 +150°C
- **技術**: Trench
### 適用領域與模塊
NCE5080K-VB 在多種應用領域展示了其卓越的性能,主要適用以下領域:
1. **電源管理系統**: NCE5080K-VB 是DC-DC轉換器和開關電源中的關鍵元件,能夠有效地提高電能轉換效率,廣泛應用于消費電子、計算機電源及工業電源系統。
2. **電動汽車(EV)**: 該MOSFET 適用于電池管理系統中的開關元件,能夠高效控制電池的充電與放電過程,確保電動汽車的性能與續航能力。
3. **LED驅動電路**: 由于其低導通電阻和高電流承載能力,NCE5080K-VB 被廣泛用于LED驅動模塊中,提供穩定的電流輸出,保證LED的均勻亮度和延長使用壽命。
4. **電機驅動與控制**: 該MOSFET 非常適合用于電機控制電路,能夠實現高效的調速和運行,廣泛應用于自動化設備、機器人及電動工具中。
5. **高頻開關應用**: NCE5080K-VB 的快速開關特性使其在高頻開關電路中表現出色,確保系統的高效性和穩定性,適用于通信和工業設備中的開關電源。
憑借其優異的性能,NCE5080K-VB 成為多種電源管理和驅動應用的理想選擇。
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