### 產品簡介
NCE5055K-VB是一款高性能的單N通道MOSFET，采用TO252封裝，專為高電壓和中等電流應用而設計。其額定VDS為60V，VGS可達到±20V，提供優秀的導通性能。該器件的導通電阻RDS(ON)為13mΩ@VGS=4.5V和10mΩ@VGS=10V，最大漏電流ID為58A，采用Trench技術，確保高效率和低熱耗散，非常適合各種電源管理和轉換應用。
### 詳細參數說明
- **封裝類型**: TO252
- **配置**: 單N通道
- **最大漏源電壓 (VDS)**: 60V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 2.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 13mΩ@VGS=4.5V
- 10mΩ@VGS=10V
- **最大漏電流 (ID)**: 58A
- **技術**: Trench
### 應用領域與模塊
NCE5055K-VB廣泛應用于電源管理模塊、DC-DC轉換器和電動機驅動電路。在消費電子、工業自動化和電動汽車等領域，這款MOSFET以其高電壓承受能力和低導通電阻，能夠有效提升電源系統的效率和穩定性。此外，在太陽能逆變器和高效能電源供應器中，NCE5055K-VB也能提供可靠的性能，滿足各種能源轉換需求。
