--- 產品參數 ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 40V
- VGS 20(±V)
- Vth 2.5V
- RDS(ON) 12mΩ@VGS=10V
- ID 55A
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 一、NCE4028EK-VB 產品簡介
NCE4028EK-VB 是一款高性能的 **單 N-溝道 MOSFET**,采用 **TO252 封裝**,專為高電流和低導通損耗的應用設計。其 **最大漏源電壓 (VDS)** 為 **40V**,支持 **±20V 的柵源電壓 (VGS)**,為用戶提供了良好的靈活性和可靠性。開啟閾值電壓為 **2.5V**,在 **VGS = 4.5V** 時的導通電阻僅為 **14mΩ**,而在 **VGS = 10V** 時進一步降低至 **12mΩ**,顯著減少了導通損耗,提高了能效。此外,NCE4028EK-VB 的最大漏極電流為 **55A**,采用 **Trench 技術**,使其在高頻開關和大功率應用中表現優異,非常適合現代電子設備的需求。
---
### 二、NCE4028EK-VB 詳細參數說明
| **參數** | **數值** | **說明** |
|------------------------|----------------------------|----------------------------------|
| **封裝類型** | TO252 | 高功率密度的緊湊封裝 |
| **配置** | 單 N-溝道 MOSFET | 提供單通道的高效電源控制 |
| **漏源電壓 (VDS)** | 40V | 最大漏極與源極之間的電壓差 |
| **柵源電壓 (VGS)** | ±20V | 最大柵極與源極之間的電壓 |
| **開啟閾值電壓 (Vth)** | 2.5V | MOSFET 開始導通所需的最小電壓 |
| **導通電阻 (RDS(ON))** | 14mΩ(@VGS = 4.5V) | 降低導通損耗,提高效率 |
| | 12mΩ(@VGS = 10V) | |
| **最大漏極電流 (ID)** | 55A | 最大持續電流 |
| **技術** | Trench | 優化設計以降低開關損耗 |
---
### 三、適用領域和模塊
1. **電源管理 (Power Management):**
NCE4028EK-VB 特別適合用于 **開關電源 (SMPS)** 和 **DC-DC 轉換器**,其低導通電阻能夠有效提高電源的轉換效率,減少能量損耗,提升整體性能。
2. **電動汽車 (Electric Vehicles):**
該 MOSFET 可以應用于 **電動汽車的電機控制系統**,在高負載和高頻率環境下提供穩定的性能,有助于提升電動汽車的能效和可靠性。
3. **工業自動化 (Industrial Automation):**
NCE4028EK-VB 是 **工業設備中的功率開關** 的理想選擇,能夠控制電動機和其他高功率負載,確保設備的高效運行和長壽命。
4. **消費電子 (Consumer Electronics):**
在 **電腦電源、音響系統** 和其他消費類電子產品中,NCE4028EK-VB 能有效提供穩定的電源,確保設備的高效能和穩定性。
5. **數據中心 (Data Centers):**
該 MOSFET 適合用于 **數據中心的電源管理**,能夠在快速變化的負載條件下提供高效的電力供應,優化數據中心的能源使用。
---
NCE4028EK-VB 是一款高效能的 N-溝道 MOSFET,廣泛適用于多種現代電子應用領域。
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