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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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NCE3080K-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: NCE3080K-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 2mΩ@VGS=10V
  • ID 100A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

以下是 **NCE3080K-VB** MOSFET 的詳細產(chǎn)品信息,包括產(chǎn)品簡介、參數(shù)說明以及應(yīng)用領(lǐng)域和模塊的示例。

---

### 一、產(chǎn)品簡介  
**NCE3080K-VB** 是一款高效能的 **單N通道MOSFET**,采用 **TO252** 封裝,具有 **30V** 的漏源電壓(VDS)和高達 **100A** 的漏電流能力。其 **閾值電壓(Vth)** 為 **1.7V**,使其在較低的柵源電壓下實現(xiàn)迅速導(dǎo)通。使用 **Trench 技術(shù)**,在 **VGS = 10V** 時的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))低至 **2mΩ**,確保在高功率應(yīng)用中的卓越性能。NCE3080K-VB 特別適用于電源管理、直流電機控制及高效開關(guān)電源等領(lǐng)域,能夠提高系統(tǒng)效率,降低能耗。

---

### 二、詳細參數(shù)說明  
- **型號**: NCE3080K-VB  
- **封裝**: TO252  
- **配置**: 單N通道  
- **VDS (漏源電壓)**: 30V  
- **VGS (柵源電壓)**: ±20V  
- **Vth (閾值電壓)**: 1.7V  
- **RDS(ON) (導(dǎo)通電阻)**:  
 - 3mΩ @ VGS = 4.5V  
 - 2mΩ @ VGS = 10V  
- **ID (最大漏電流)**: 100A  
- **技術(shù)**: Trench  

---

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例  
1. **電源管理系統(tǒng)**  
  NCE3080K-VB 廣泛應(yīng)用于電源管理系統(tǒng)中,作為開關(guān)元件控制電源的連接與斷開,提高了能量轉(zhuǎn)換效率,降低了系統(tǒng)損耗,適合于便攜式和消費電子設(shè)備。

2. **電動機驅(qū)動**  
  該MOSFET 在電動機驅(qū)動領(lǐng)域中可用于控制直流電機,提供精準的速度和方向控制,廣泛應(yīng)用于家用電器、玩具以及工業(yè)自動化設(shè)備中。

3. **開關(guān)電源(SMPS)**  
  NCE3080K-VB 非常適合用于開關(guān)電源設(shè)計,通過其出色的電流開關(guān)能力,能夠滿足高頻操作和低發(fā)熱量的需求,優(yōu)化電源效率,提升整體性能。

4. **LED驅(qū)動電路**  
  在LED驅(qū)動應(yīng)用中,NCE3080K-VB 可用于調(diào)節(jié)LED亮度和開關(guān),利用其低導(dǎo)通電阻和快速響應(yīng)特性,實現(xiàn)高效照明解決方案,適合用于各類照明系統(tǒng)。

5. **通信設(shè)備**  
  該器件也可用于通信設(shè)備的電源分配與管理,以確保在高負載情況下的穩(wěn)定性與可靠性,適用于現(xiàn)代通信基礎(chǔ)設(shè)施。

---

**總結(jié)**: NCE3080K-VB 以其 **30V** 的漏源電壓、 **100A** 的高電流能力及 **2mΩ** 的低導(dǎo)通電阻,在多種高效電力電子應(yīng)用中表現(xiàn)出色。TO252 封裝為該器件提供了優(yōu)良的散熱特性,確保其在高溫和高負載條件下的可靠性,是現(xiàn)代電源管理及控制系統(tǒng)中不可或缺的關(guān)鍵組件。

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