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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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NCE3035K-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管

型號: NCE3035K-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 2mΩ@VGS=10V
  • ID 100A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

以下是 **NCE3035K-VB** MOSFET 的詳細(xì)產(chǎn)品信息,包括產(chǎn)品簡介、參數(shù)說明以及應(yīng)用領(lǐng)域和模塊的示例。

---

### 一、產(chǎn)品簡介  
**NCE3035K-VB** 是一款高效的 **單N通道MOSFET**,采用 **TO252** 封裝,具有 **30V** 的漏源電壓(VDS)和 **100A** 的高漏電流能力。這款器件的 **閾值電壓(Vth)** 為 **1.7V**,確保在較低的柵源電壓下實(shí)現(xiàn)快速導(dǎo)通。使用 **Trench 技術(shù)**,在 **VGS = 10V** 時的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))僅為 **2mΩ**,使其在高功率應(yīng)用中具有卓越的性能。NCE3035K-VB 特別適合用于電源管理、直流電機(jī)控制等應(yīng)用,提供高效率和可靠性。

---

### 二、詳細(xì)參數(shù)說明  
- **型號**: NCE3035K-VB  
- **封裝**: TO252  
- **配置**: 單N通道  
- **VDS (漏源電壓)**: 30V  
- **VGS (柵源電壓)**: ±20V  
- **Vth (閾值電壓)**: 1.7V  
- **RDS(ON) (導(dǎo)通電阻)**:  
 - 3mΩ @ VGS = 4.5V  
 - 2mΩ @ VGS = 10V  
- **ID (最大漏電流)**: 100A  
- **技術(shù)**: Trench  

---

### 三、應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例  
1. **電源管理系統(tǒng)**  
  NCE3035K-VB 在電源管理系統(tǒng)中廣泛應(yīng)用,作為負(fù)載開關(guān)元件,可以高效控制電源的開關(guān),提高能量轉(zhuǎn)換效率,降低系統(tǒng)損耗。

2. **電動機(jī)控制**  
  在電動機(jī)控制領(lǐng)域,該MOSFET 可用于驅(qū)動直流電機(jī),通過快速切換實(shí)現(xiàn)精確的速度和方向控制,適用于電動工具和家用電器。

3. **開關(guān)電源**  
  NCE3035K-VB 適合用于開關(guān)電源(SMPS)設(shè)計中,提供高效的電流開關(guān)能力,以滿足高頻率操作和低熱量輸出的需求,優(yōu)化電源性能。

4. **LED驅(qū)動電路**  
  在LED驅(qū)動電路中,該器件可用于調(diào)節(jié)LED的亮度和開關(guān),利用其低導(dǎo)通電阻和快速響應(yīng)特性,實(shí)現(xiàn)高效能照明解決方案。

5. **通信設(shè)備**  
  NCE3035K-VB 也適用于通信設(shè)備中的電源分配和管理,以確保設(shè)備在高負(fù)載情況下的穩(wěn)定性和可靠性,是現(xiàn)代通信系統(tǒng)中不可或缺的元件。

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**總結(jié)**: NCE3035K-VB 以其 **30V** 的漏源電壓、 **100A** 的高電流能力以及 **2mΩ** 的低導(dǎo)通電阻,成為多種高性能電力電子應(yīng)用的理想選擇。TO252 封裝為該器件提供了良好的散熱特性,確保其在苛刻工作條件下的穩(wěn)定運(yùn)行,是現(xiàn)代電源管理和控制系統(tǒng)中不可或缺的組件。

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