--- 產品參數 ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 200V
- VGS 20(±V)
- Vth 3V
- RDS(ON) 55mΩ@VGS=10V
- ID 30A
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
## 一、NCE0224KA-VB MOSFET 產品簡介
NCE0224KA-VB 是一款采用 **TO252** 封裝的 **單N溝道 MOSFET**,專為高壓和高電流應用設計,具有優(yōu)越的性能和可靠性。其最大漏源電壓(V\(_{DS}\))為 200V,柵源電壓(V\(_{GS}\))為 ±20V,適合在多種嚴苛的電氣環(huán)境中工作。閾值電壓(V\(_{th}\))為 3V,確保器件能夠在較高的開啟電壓下穩(wěn)定運行。在 V\(_{GS}\) = 10V 條件下,其導通電阻(R\(_{DS(ON)}\))為 55mΩ,支持高達 30A 的持續(xù)漏極電流。采用 **Trench** 溝槽型技術,NCE0224KA-VB 具有低功耗特性,是工業(yè)自動化、功率轉換和電源管理等領域的理想選擇。
---
## 二、NCE0224KA-VB 的詳細參數說明
| **參數** | **值** | **說明** |
|-----------------------|--------------------------|--------------------------------------------------|
| **封裝** | TO252 | 適合高功率和高壓應用的小型封裝 |
| **配置** | 單N溝道 | 提供高效的電流開關控制 |
| **V\(_{DS}\)** | 200V | 支持高電壓應用 |
| **V\(_{GS}\)** | ±20V | 柵極耐壓高,適應復雜的電氣環(huán)境 |
| **閾值電壓 (V\(_{th}\))** | 3V | 確保器件在適當電壓下正常開啟 |
| **R\(_{DS(ON)}\)** | 55mΩ @ V\(_{GS}\) = 10V | 低導通電阻,有助于減少功耗 |
| **最大漏極電流 (I\(_{D}\))** | 30A | 可驅動高功率負載 |
| **技術** | Trench 溝槽型 | 提供高效能和高可靠性的解決方案 |
---
## 三、NCE0224KA-VB 適用領域和模塊舉例
1. **電源管理與轉換**
NCE0224KA-VB 可廣泛應用于 **開關電源** 和 **DC-DC 轉換器** 中,作為電源開關元件,幫助提高能效,減少待機損耗。
2. **工業(yè)自動化控制系統(tǒng)**
在 **工業(yè)自動化** 中,該 MOSFET 可用于驅動 **電機控制** 和 **電磁閥**,提高系統(tǒng)的響應速度和功率效率,確保設備的穩(wěn)定運行。
3. **電池管理系統(tǒng)(BMS)**
NCE0224KA-VB 可用于 **鋰電池管理** 和 **電池保護電路**,有效監(jiān)控電池的充電和放電過程,避免過充和過放,從而延長電池壽命。
4. **LED 照明驅動**
在 **LED 照明** 應用中,NCE0224KA-VB 可用作 **驅動電路**,實現(xiàn)對 LED 的精準控制,降低功耗,并提升光源效率。
5. **消費電子產品**
該器件也適用于各種 **消費電子產品** 的電源管理,特別是在高功率要求的設備中,如電視機、音響系統(tǒng)和便攜式設備等。
---
NCE0224KA-VB 憑借其 **200V 的高耐壓能力** 和 **30A 的高電流驅動能力**,在多個應用領域展現(xiàn)了出色的性能和可靠性。其小型封裝使其成為空間受限電路中的理想選擇,廣泛應用于 **電源管理、電池管理、工業(yè)控制、LED 驅動以及消費電子** 等領域。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:51
產品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:48
產品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:47
產品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:44
產品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:42
產品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:40
產品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:36
產品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:31
產品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:28
產品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:25
產品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12