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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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NCE01P13K-VB一款TO252封裝P-Channel場效應晶體管

型號: NCE01P13K-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-P-Channel
  • VDS -100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth -2V
  • RDS(ON) 100mΩ@VGS=10V
  • ID -16A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### NCE01P13K-VB 產品簡介

NCE01P13K-VB 是一款高性能的單 P 通道 MOSFET,采用 TO252 封裝,專為高電壓和高電流應用設計。其最大漏源電壓(VDS)可達 -100V,能夠支持 ±20V 的柵源電壓(VGS),在各種電氣環境中表現穩定。該器件的閾值電壓(Vth)為 -2V,使其在較低電壓下即可高效開啟,適合對電流開關響應速度要求較高的應用。

在開關狀態下,NCE01P13K-VB 的導通電阻(RDS(ON))在 VGS=10V 時為 100mΩ,這意味著其在大電流(ID 為 -16A)應用中功耗較低,能夠有效降低系統發熱并提高整體效率。其采用的 Trench 技術保證了器件在高頻開關和熱管理方面的優越性能,能夠滿足現代電子產品對高效能和高可靠性的需求。

### NCE01P13K-VB 詳細參數說明

| 參數              | 值                     |
|------------------|----------------------|
| **型號**         | NCE01P13K-VB         |
| **封裝**         | TO252                |
| **配置**         | 單 P 通道             |
| **VDS**          | -100V                |
| **VGS**          | ±20V                 |
| **閾值電壓 (Vth)** | -2V                 |
| **導通電阻 (RDS(ON))** | 120mΩ @ VGS=4.5V  |
| **導通電阻 (RDS(ON))** | 100mΩ @ VGS=10V   |
| **最大漏電流 (ID)**  | -16A                |
| **技術**         | Trench               |

### 應用領域和模塊示例

1. **電源管理模塊**:NCE01P13K-VB 在 DC-DC 轉換器和開關電源設計中表現出色,其低導通電阻和高電流能力有助于提高能效,降低系統熱損耗,確保電源的穩定性和可靠性。

2. **電動汽車**:在電動汽車的電池管理系統和電機驅動模塊中,NCE01P13K-VB 能夠實現高效的電流控制,適應電池充電與放電的需求,提高電池的使用效率,從而增強電動汽車的續航能力。

3. **LED 驅動電路**:在 LED 照明應用中,該 MOSFET 可以用于電流調節和開關控制,保證 LED 的穩定亮度并延長其使用壽命,適合用于各類照明系統。

4. **家用電器**:在家用電器如洗衣機、空調等中,NCE01P13K-VB 可以作為開關元件,提供可靠的電流控制,確保設備的高效運行和能耗管理。

5. **消費電子產品**:該 MOSFET 在智能家居設備、音響系統及其他消費電子產品的電源管理中應用廣泛,滿足現代設備對高效率和高可靠性的設計需求。

綜上所述,NCE01P13K-VB 是一款性能優越的 P 通道 MOSFET,能夠在多種高電壓和高電流應用中提供可靠的解決方案,滿足嚴苛的工作條件和高效能的設計要求。

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