--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 100V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.8V
- RDS(ON) 30mΩ@VGS=10V
- ID 40A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### NCE0115K-VB 產(chǎn)品簡介
NCE0115K-VB 是一款高效能的單 N 通道 MOSFET,采用 TO252 封裝,專為高電壓和大電流應(yīng)用設(shè)計。該器件的漏極-源極電壓 (VDS) 可達 100V,柵極-源極電壓 (VGS) 范圍為 ±20V,具有良好的閾值電壓 (Vth) 為 1.8V,使其在較低電壓下即可實現(xiàn)快速開通。NCE0115K-VB 的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 在 VGS=4.5V 時為 35mΩ,而在 VGS=10V 時則降至 30mΩ,這使得其在開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色。該 MOSFET 的額定電流為 40A,能夠滿足各種高功率應(yīng)用的需求,特別是在電源管理和電機控制領(lǐng)域。
### 詳細參數(shù)說明
| 參數(shù) | 描述 |
|-------------------|------------------------------|
| **型號** | NCE0115K-VB |
| **封裝** | TO252 |
| **配置** | 單 N 通道 |
| **漏極-源極電壓 (VDS)** | 100V |
| **柵極-源極電壓 (VGS)** | ±20V |
| **閾值電壓 (Vth)** | 1.8V |
| **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))** | 35mΩ (VGS=4.5V)
30mΩ (VGS=10V) |
| **額定電流 (ID)** | 40A |
| **技術(shù)** | Trench |
### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊
NCE0115K-VB MOSFET 在多個領(lǐng)域和模塊中具有廣泛的應(yīng)用,具體包括:
1. **電源管理**:在高效開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電池管理系統(tǒng)中,NCE0115K-VB 被廣泛用于電壓轉(zhuǎn)換和電流調(diào)節(jié),以提高能源利用率。
2. **電機驅(qū)動**:該 MOSFET 適用于電動機控制電路,尤其是直流電機和步進電機的驅(qū)動應(yīng)用,能夠提供可靠的開關(guān)控制,確保高效運行。
3. **LED 驅(qū)動**:在 LED 照明系統(tǒng)中,NCE0115K-VB 可用于驅(qū)動高功率 LED,以實現(xiàn)高亮度輸出和精準的調(diào)光功能。
4. **消費電子**:該 MOSFET 可廣泛應(yīng)用于各類消費電子產(chǎn)品中,如充電器、音響和其他電源適配器,確保其在高負載情況下的穩(wěn)定性能。
5. **工業(yè)控制**:在工業(yè)自動化系統(tǒng)中,NCE0115K-VB 可以用于驅(qū)動繼電器、傳感器及其他控制設(shè)備,滿足高功率和高效率的需求。
通過這些應(yīng)用,NCE0115K-VB 顯示出其在現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中不可或缺的重要性,適合于多種高效能電力控制與管理解決方案。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12